天岳先进

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，因其在高温、高压、高频等极端环境下的优异表现，正逐渐成为功率电子器件的首选材料。随着全球对于能源效率和电力系统可靠性要求的提高，碳化硅衬底的需求正在快速增长。特别是在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域的应用推动下，碳化硅衬底市场展现出巨大的增长潜力。据Yole预测，到2028年全球碳化硅器件市场规模将达到89.06亿美元，其中碳化硅衬底作为器件制造的关键原材料，其市场规模和影响力不容小觑...