光刻工艺

光刻工艺是半导体制造中的核心环节，它决定了集成电路线宽大小，直接影响芯片的性能和功耗。随着技术的进步，光刻工艺已经从最初的接触/接近式光刻机发展到如今的步进扫描光刻机，并且光源技术也从g-line、i-line发展到EUV技术，光刻精度从800nm逐步提升至3nm。这一过程不仅体现了技术的迭代，更是半导体产业发展的缩影。在摩尔定律的推动下，光刻技术的发展速度和精度要求不断提高，对整个半导体行业的发展起到了决定性作用。关键词：光刻工艺、芯片...

光刻工艺是半导体制造中的核心环节，它决定了集成电路线宽的大小，直接影响芯片的性能。随着科技的不断进步，光刻技术经历了从接触/接近式光刻机、扫描投影光刻机、步进重复式光刻机到步进扫描光刻机的发展历程。每一次技术的迭代，都带来了芯片制程的突破，使得晶体管的尺寸不断缩小，性能不断提升。本文将探讨光刻工艺中不同曝光方式的技术迭代，以及它们如何推动芯片制程的革新。关键词：光刻技术、芯片制程、曝光方式、技术迭代、步进扫描、极...