光刻技术

光刻技术是半导体制造过程中的关键环节，它决定了集成电路的最小特征尺寸，从而影响芯片的性能和功耗。随着摩尔定律的推进，芯片制程节点不断缩小，对光刻技术的精度和效率提出了更高的要求。光刻机作为实现这一过程的核心设备，其技术进步主要围绕光源波长、数值孔径和工艺因子三个关键参数展开。本文将探讨这三个参数如何共同推动光刻技术的迭代发展。关键词：光刻技术，光源波长，数值孔径，工艺因子，摩尔定律，半导体制造光源波长的缩短：光刻技术进步...

光刻技术与光刻胶是半导体制造领域中的关键环节，它们共同决定了芯片制造的精度和效率。随着全球对高性能半导体的需求不断增加，光刻技术与光刻胶的市场竞争愈演愈烈，成为各大科技企业争夺的焦点。光刻机作为将电路图案转移到硅片上的设备，其性能直接影响芯片的生产能力和良率。而光刻胶作为光刻工艺中的关键材料，其质量和性能直接影响图案的精度和可靠性。高端制程对光刻胶的要求极为严格，尤其是对分辨率、抗蚀刻性和热稳定性的要求，光刻胶...