
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,以其禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特性,在功率电子和射频电子领域展现出显著优势。这种材料的器件相较于传统硅基器件,具备耐高压、低损耗和高频三大优势,因此在新能源车、光伏/风电、工控、射频等领域得到广泛应用。
关键词:碳化硅、第三代半导体、新能源车、光伏、功率器件、射频器件
1. 新能源汽车领域的应用
碳化硅材料在新能源汽车领域的应用最为广泛,特别是在主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等方面。这些应用受益于新能源汽车的放量,推动了碳化硅功率器件市场的快速增长。根据Yole数据,2018年和2024年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和50亿美元,复合增速约51%。碳化硅器件在新能源汽车中的应用可以提高整体系统效率,增加电动汽车的行驶里程,尤其是在逆变器系统中,能够减少电池管理系统的尺寸和重量,同时降低制造成本和拥有成本近2,000美元。
2. 光伏和风电领域的应用
碳化硅材料在光伏和风电领域也展现出广泛的应用前景。这些领域需要高效率的电力转换和控制,而碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,较好地契合了这些要求。碳化硅器件在这些领域的应用有助于提高能源转换效率,降低系统损耗,提升功率密度,从而优化整个系统的经济效益。
3. 射频器件在5G通讯领域的应用
在5G通讯领域,碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片被用于制造微波射频器件。这些器件在5G基站、雷达等高速通信和信号处理领域发挥着重要作用。碳化硅材料的高热导率和高临界击穿场强特性,使得这些射频器件能够承受更高的功率和频率,从而满足5G通讯对于高性能器件的需求。
总结
碳化硅材料以其独特的物理特性,在新能源汽车、光伏/风电、5G通讯等领域展现出广泛的应用潜力。随着技术的不断进步和成本的降低,预计碳化硅材料将在更多领域得到应用,推动相关行业的技术革新和产业升级。
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